服务热线
15995280078
我们常见的霍尔元件体积其实很小，很方便安装，像插件的封装，一般长17.6mm，宽4.1mm，贴片的体积会小一些，一般长宽高分别为3*3*1.25mm。但是其实还有更小的霍尔元件的体积存在，今天小编就给大家介绍一下吧。
日本工业技术院电子技术综合研究所研制成--种微小的霍尔元件,其大小仅为0.25 μm。以前使用掩膜的方法,由于受掩膜加工及注入离子的限制，元件的大小被限制在2~5pum,为了克服这些困难,该研究所不使用掩膜,直接用离子束扫描电路,越是缩小离子束的束径, 就越能制作微小的覆尔元件。
其制作方法是:先在砷化镓芯片上用光石印术刻入位置接合标识器，之后以120keV使硅飞溅形成离子束,一侧照射6μm的十字形,形成霍尔元件的激活区,离子注入需要的时间要短(10 ms),然后用蒸镀法制作金引线，元件整体进行850~900°C的热处理。
这个霍尔元件的灵敏度为每忒斯拉50mW/T,如果元件变小，灵敏度就变坏,所以作为位置传感器使用时，实用界限被限制在0.25 pμm。采用这个新元件可望作为超高精度的位置传感器。
日本工业技术院电子技术综合研究所研制成--种微小的霍尔元件,其大小仅为0.25 μm。以前使用掩膜的方法,由于受掩膜加工及注入离子的限制，元件的大小被限制在2~5pum,为了克服这些困难,该研究所不使用掩膜,直接用离子束扫描电路,越是缩小离子束的束径, 就越能制作微小的覆尔元件。
其制作方法是:先在砷化镓芯片上用光石印术刻入位置接合标识器，之后以120keV使硅飞溅形成离子束,一侧照射6μm的十字形,形成霍尔元件的激活区,离子注入需要的时间要短(10 ms),然后用蒸镀法制作金引线，元件整体进行850~900°C的热处理。
这个霍尔元件的灵敏度为每忒斯拉50mW/T,如果元件变小，灵敏度就变坏,所以作为位置传感器使用时，实用界限被限制在0.25 pμm。采用这个新元件可望作为超高精度的位置传感器。