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霍尔元件常用的材料包括半导体材料，如锗、硅、砷化物和锑化物。其中，N型锗易于加工制造，具有良好的霍尔系数、温度性能和线性度。N型硅的线性度最好。与光电开关参数相比，有很大的差异。霍尔元件具有类似于N型锗的霍尔系数和温度性能。
霍尔元件的主要参数：
1.额定励磁电流和最大允许励磁电流：
当激励电流施加到霍尔元件时，霍尔元件的温度上升10度。此时的励磁电流称为额定励磁电流，用符号1C表示。当激励电流增加时，霍尔电压也增加。为了获得更大的霍尔电压，在应用中将使用更大的激励电流。然而，如果激励电流太大，霍尔元件的功耗将增加，并且霍尔元件的温度将增加，这将导致霍尔电压的温度漂移增加并影响测量精度。因此，各种类型的霍尔元件已经指定了相应的最大激励电流IM，并且其值的范围从几毫安到十毫安以上。
2.输入电阻和输出电阻：
霍尔元件的两个激励端的电阻称为输入电阻R1，两个霍尔电压输出端之间的电阻称为输出电阻RO。对于不同类型的霍尔元件，输入电阻器和输出电阻器的电阻值通常在几十欧姆到几百欧姆的范围内。
3、不相等的电动势和不相等的电阻：
不等电动势是指在无外磁场时，霍尔元件在额定励磁电流作用下输出的开路电压。通常，它由符号UM表示。这种现象的原因是：霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上；
半导体材料的不均匀性导致电阻率不均匀或几何尺寸不均匀；由于激励电极接触不良等原因，激励电流分布不均匀。
4、寄生DC电动势：
当所施加的磁场为零时，交流电流被施加到霍尔开关，并且霍尔电极端子输出寄生直流电动势，该寄生直流电动势是由控制电极和基板之间的不完全欧姆接触引起的整流效应引起的。
5.霍尔电压温度系数：
霍尔电压的温度系数是指在一定的磁感应强度和控制功率下，温度变化1度时霍尔电压的变化率。
霍尔元件的主要参数：
1.额定励磁电流和最大允许励磁电流：
当激励电流施加到霍尔元件时，霍尔元件的温度上升10度。此时的励磁电流称为额定励磁电流，用符号1C表示。当激励电流增加时，霍尔电压也增加。为了获得更大的霍尔电压，在应用中将使用更大的激励电流。然而，如果激励电流太大，霍尔元件的功耗将增加，并且霍尔元件的温度将增加，这将导致霍尔电压的温度漂移增加并影响测量精度。因此，各种类型的霍尔元件已经指定了相应的最大激励电流IM，并且其值的范围从几毫安到十毫安以上。
2.输入电阻和输出电阻：
霍尔元件的两个激励端的电阻称为输入电阻R1，两个霍尔电压输出端之间的电阻称为输出电阻RO。对于不同类型的霍尔元件，输入电阻器和输出电阻器的电阻值通常在几十欧姆到几百欧姆的范围内。
3、不相等的电动势和不相等的电阻：
不等电动势是指在无外磁场时，霍尔元件在额定励磁电流作用下输出的开路电压。通常，它由符号UM表示。这种现象的原因是：霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上；
半导体材料的不均匀性导致电阻率不均匀或几何尺寸不均匀；由于激励电极接触不良等原因，激励电流分布不均匀。
4、寄生DC电动势：
当所施加的磁场为零时，交流电流被施加到霍尔开关，并且霍尔电极端子输出寄生直流电动势，该寄生直流电动势是由控制电极和基板之间的不完全欧姆接触引起的整流效应引起的。
5.霍尔电压温度系数：
霍尔电压的温度系数是指在一定的磁感应强度和控制功率下，温度变化1度时霍尔电压的变化率。